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- 24AT0224
- 酸化物を用いた高性能半導体の研究
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0230
- ALD法によるSiO2膜またはSiN膜の評価
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0232
- 原子層堆積技術における原料プリカーサの分解過程の観察
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0234
- 相変化材料の構造分析
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0236
- Nano/Micro機能付加による高性能伝熱面に関する研究
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0237
- Silicon wafer dopant activation and silicon wafer dicing
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0240
- 金属膜局所スマートカット
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0243
- 強誘電HfO2を用いた接合素子の作製
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0249
- 単電子源を用いた量子系の時間分解分光測定
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0252
- 高精度慣性センサ用MEMSデバイスの開発
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所