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- 23AT0340
- 貴金属プリカーサ分子の基板表面反応に関する研究
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0350
- GaN/金属のコンタクト抵抗の改善
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0352
- 基板再利用技術に向けたICP-RIEを用いたGeの異方性エッチング
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0355
- プラズマ表面処理
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0361
- 特殊ガスがマスフローコントローラ接ガス部品に与える影響の調査
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0363
- 三次元積層実装に向けたTSV形成プロセスの高度化1
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0365
- 有機膜へのプラズマCVDによるSiN成膜試験
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0375
- ALD膜の評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0380
- 磁性体デバイスの作成
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0387
- 低EOTと高移動度を目標としたデバイスの作製
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所