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- 22AT5016
- CsPbBr3薄膜の陽電子消滅寿命分光
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5015
- 実験と計算で比較したベータ石英結晶のバルク陽電子消滅寿命
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5013
- シリコン中にイオン照射で形成されたナノボイドの分析
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5012
- 高分子中のポジトロニウム
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5011
- ナノカーボン、セルロースを含むナノ材料構造解析
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5009
- 半導体材料のキャリアダイナミクス計測1
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5008
- 超伝導検出器開発のための研究
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5007
- 細胞組織内のイオン分布に関する研究
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT5006
- P型酸化銅半導体薄膜の欠陥構造解析
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所