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- 23AT0067
- Glass GEM(Gas Electron Multiplier)基板の電極材料の検討
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0068
- 金型原盤、MEMS等デバイスにおける微細加工技術の検討
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0071
- 膜転写によるSixGe1-x-ySny OI基板の作成
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0073
- TiN/Alゲート電極形成に向けた条件検討
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0074
- アルミナ膜特性評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0077
- 走査プローブ顕微鏡を用いた窒化物半導体の表面モフォロジー解析
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0078
- シリコン酸化膜のドライエッチング
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0079
- ミニマルアルミスパッタ装置で形成したAl膜の評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0080
- SiO2膜によるhp 50nm L/Sパターン作成評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0081
- 層間絶縁膜としてのPMMAネガレジストの検討
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所