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- 23AT0144
- 導電性サファイアの実現
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0149
- ナノカーボン材料に関する研究
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0151
- カーボンナノチューブの高度な半導体応用方法の開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0152
- i線ステッパー露光による500nmレジストパターンの作成
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0153
- 化合物半導体のプロセス開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0156
- フォトリソグラフィによる,Si基板の微細加工検証
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0158
- ボトムアップ成長による原子層半導体ラテラルホモ接合の実現
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0159
- 不揮発性メモリーに関する研究
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0161
- グラフェンのエンディング技術の開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0163
- 半導体基板の直接接合のための塩素終端の分析
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所