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- 23AT0187
- 熱電変換材料評価の為の加工および分析
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0188
- 相変化材料を利用したプラズモニックデバイスの作成
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0195
- 超伝導量子ビットの3次元実装
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0196
- GaN MOSFETプロセスの開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0197
- ALD法によるSiO2膜またはSiN膜の評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0198
- 窒化物半導体デバイスの開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0202
- 回折光学素子のウエハ全面への作製
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0206
- フォトセンサの開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0208
- 超伝導検出器開発のための研究
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0210
- グラフェン電極を用いた平面型電子放出素子
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所