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表示件数

23AT5061
酸窒化クロムエピタキシャル膜の陽電子寿命測定
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT5062
ドップラーブロード二ングによって調べるp型半導体ヨウ化銅のZn添加効果
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT5063
CuIの陽電子消滅寿命測定
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0083
二次元材料転写へ向けた平坦なゲート絶縁膜基板の形成
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0240
ナノ構造を利用した光学素子の作製
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0396
High-k材料の評価
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0397
TaN膜の密度向上
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT5065
低速陽電子ビームによる微細粉体状高誘電体材料の評価
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0101
ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発_1
2024.7.25
産業技術総合研究所
23NM5341
磁性微粒子コーティング膜の表面及び断面観察
2024.7.25
物質・材料研究機構
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