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- 23AT5061
- 酸窒化クロムエピタキシャル膜の陽電子寿命測定
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT5062
- ドップラーブロード二ングによって調べるp型半導体ヨウ化銅のZn添加効果
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT5063
- CuIの陽電子消滅寿命測定
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0083
- 二次元材料転写へ向けた平坦なゲート絶縁膜基板の形成
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0240
- ナノ構造を利用した光学素子の作製
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0396
- High-k材料の評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0397
- TaN膜の密度向上
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT5065
- 低速陽電子ビームによる微細粉体状高誘電体材料の評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0101
- ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発_1
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23NM5341
- 磁性微粒子コーティング膜の表面及び断面観察
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構