【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0087
利用課題名 / Title
フレキシブル基盤を用いた神経電極の作製
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
セラミックスデバイス/ Ceramic device,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
竹谷 航大
所属名 / Affiliation
東北大学工学部機械知能・航空工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-051：ミカサ スピンコータ
TU-054：ホットプレート
TU-056：両面アライナ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
厚み25 µmの配線をフォトフォーミングにより作製するため、ポジ型厚膜レジストAZ-P4903のパターニングの条件出しを行った。
実験 / Experimental
条件スピンコート：500 rpm 5 sec→1000 rpm(30 µｍ) 20 ses
プリベーク：80 ℃ ５ min→110 ℃ 5 min
露光：2750, 3000, 3500, 4000, 4500, 5000, 6000 mJ/cm2
(参照データ AZ-P4620 24µｍで2400mJ) 10 sec露光、30 sec間隔
現像：TMAH2.38%(専用液はKOH)で30 min
ポストベーク:なし
結果と考察 / Results and Discussion
全てのサンプルでレジストが抜けきらず、露光量5000、6000 mJ/cm2では若干配線部分のレジストが薄くなっていた。原因はレジストの期限が5年ほど過ぎていたこと、露光量不足、現像液を専用の物でなくTMAHで代用したことなどが考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１. パターニング結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件