【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0057
利用課題名 / Title
シリコンナノ周期構造の作製と評価/Evaluation and Fabrication of Silicon nanometer scale periodic structures
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
微細加工,パーティクル
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
肥後 昭男
所属名 / Affiliation
東京大学大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
石濱晃
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
庄子征希
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Siウェハに対するnmサイズの微細加工及びその検出には、ノイズとなるウェハ上のパーティクル低減が重要である。今回、数10～数100 nmサイズのSiピラー形成を目的に、S/N比の高い測定結果を得るため、東北大学ナノテク融合技術支援センターの設備を利用し、ピラー形成工程の改善による測定ノイズ低減の効果を評価した。
実験 / Experimental
約50 nm厚みのレジストを形成したSiウェハを用い、薬液現像後の洗浄及び乾燥方法が異なるサンプルを作製し、各サンプルのパーティクル数をゴミ検査装置によりそれぞれ測定した。洗浄および乾燥条件は以下の通り：
(ⅰ)流水洗浄1 min、エアーブロー乾燥
(ⅱ)流水洗浄1 min、スピン乾燥
(ⅲ)流水洗浄5 min、エアーブロー乾燥
結果と考察 / Results and Discussion
洗浄および乾燥条件毎に測定したウェハ上のパーティクル分布をFig. 1に示す。乾燥方法をスピン乾燥にすることで、エアーブロー乾燥時に見られたブロー方向に沿って分布するパーティクルは低減した。また、流水洗浄時間を長くすることでもパーティクルは低減した。
このことから、流水洗浄1 minでは薬液現像に対する洗浄が不十分であり、ウェハ上にレジスト残渣が残留し、エアーブローにより拡散されている可能性が示唆された。流水洗浄時間を長くし、スピン乾燥することで測定ノイズ低減に効果があると予想される。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Wafer maps of particles in the WM-3.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・共同研究者：トーカロ株式会社 石濱晃
・本検討を進めるにあたり、東北大学マイクロシステム融合研究開発センター森山雅昭准教授、庄子征希研究員には有益なご指導・ご支援をいただいたことを感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件