【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.10】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0050
利用課題名 / Title
Vapor-HFエッチングを用いた3D構造形成
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
デバイス・センサー関連材料,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
村上 泰彦
所属名 / Affiliation
セイコーエプソン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
寺平 成希
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
吉田孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
３µmのGapを有する３D MEMS構造体を形成するため、Vapor-HFエッチング装置を用いてSOI基板BOX層をエッチングし、リリースできるか確認した。
SOI基板デバイス層はエッチング開口を事前に加工し、Vapor-HFを行った。
実験 / Experimental
[装置]Vapor-HFエッチング装置(TU-216)
[使用条件]13_Coin01（条件は表1）
10 Cycleエッチングしてレートを確認し、3D構造体のVaporHFエッチングを実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
10サイクルエッチングした結果、エッチング量は面内において4.5 µm～6.3 µmであった。この結果を用いて3D構造体のVaporHFエッチングを行なった。図１のように、BOX層の残りがなくエッチングできており、所望の3D構造体を形成することが出来た。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1．Vapor-HFエッチング条件
図1．3D構造体のSEM画像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件