利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.04.10】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24TU0050

利用課題名 / Title

Vapor-HFエッチングを用いた3D構造形成

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

デバイス・センサー関連材料,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

村上 泰彦

所属名 / Affiliation

セイコーエプソン株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

寺平 成希

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

吉田孝

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-216:Vapor HFエッチング装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 3µmのGapを有する3D MEMS構造体を形成するため、Vapor-HFエッチング装置を用いてSOI基板BOX層をエッチングし、リリースできるか確認した。
 SOI基板デバイス層はエッチング開口を事前に加工し、Vapor-HFを行った。

実験 / Experimental

[装置]Vapor-HFエッチング装置(TU-216)
[使用条件]13_Coin01(条件は表1)
10 Cycleエッチングしてレートを確認し、3D構造体のVaporHFエッチングを実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

 10サイクルエッチングした結果、エッチング量は面内において4.5 µm~6.3 µmであった。この結果を用いて3D構造体のVaporHFエッチングを行なった。図1のように、BOX層の残りがなくエッチングできており、所望の3D構造体を形成することが出来た。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


表1.Vapor-HFエッチング条件



図1.3D構造体のSEM画像


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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