【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0047
利用課題名 / Title
半導体ウェハ加工技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
形状・形態観察,スパッタリング/ Sputtering,ボンディング/ Bonding,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology,アクチュエーター/ Actuator,高周波デバイス/ High frequency device,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,セラミックスデバイス/ Ceramic device,エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
大橋 達也
所属名 / Affiliation
Mipox株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
米倉洋
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
邉見政浩,古林庸子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-160：自動搬送 芝浦スパッタ装置（加熱型）
TU-058：マスクレスアライナ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
接合時にアライメントを行う際、基板上にアライメントマークが必要となる。アライメントマークのみを作製する場合、マスクレスアライナにより直接描画してフォトリソグラフィーを行うのが簡便である。レジストに一般的なポジレジストを用いるとほぼ全面を露光する必要があるが、ネガレジストを用いるとアライメントマークの部分のみ描画すればよく、描画時間が大幅に短縮できる。 しかしながら、ウエットエッチングができるネガレジストは古くからあるゴム系のものであり、解像度が約10 µm程度と低いという欠点がある。今回はゴム系ネガレジストを用いアライメントマークの作製を試みた。
実験 / Experimental
6インチベアSi基板に、自動搬送スパッタ装置（!-Miller CFS-4EP-LL）を用いRFマグネトロンスパッタ法により約100 nm厚の Cr 薄膜を製膜した。Crを製膜した基板に、スピンコータによりネガレジスト(東京応化工業 OMR100)を塗布しプリベークののち、マスクレスアライナHeidelberg Instruments製MLA150によりアライメントマークを描画した。 描画したフォトレジストを現像したのち、Crエッチング液によりエッチングを行いアライメントマークのある基板を得た。
結果と考察 / Results and Discussion
図1に現像後のネガレジスト像、図2にエッチング後のアライメントマークを示す。ライン/スペースはL/S＝5 µm/5 µmであり、ネガレジストには波状の模様が見える。エッチング後、硫酸過酸化水素混合液によりレジストを剥離したところ、縁が若干波状となっているものの、実用上問題ない程度のアライメントマークが得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 現像、エッチング後のレジストパターン
図2 レジスト剥離後のアライメントマーク
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件