【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.10】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0041
利用課題名 / Title
TFTプロセスにおけるイオン注入工程
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
イオン注入,エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
原 明人
所属名 / Affiliation
東北学院大学 大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ガラス基板上の縦型多結晶シリコン薄膜トランジスタの研究を進めている。SD領域の形成のためイオン注入を必要とする。東北大学ナノテク融合技術支援センター（試作コインランドリ）にてこの工程を行った。
実験 / Experimental
イオン注入は東北大学試作コインランドリを利用し、イオン注入以外を東北学院大学の半導体デバイスプロセスを用いて行い、デバイスを完成させた。
結果と考察 / Results and Discussion
イオン注入後、東北学院大学にてデバイスプロセスを流し、TFTを完成させた。TFTの特性を測定した結果、満足できる特性ではなかった。そのため、引き続き条件を変えて実験を継続しようと計画したが、本施設でのイオン注入が出来なくなった。そのため装置メーカーに依頼し実験を継続した。現在は、装置メーカのイオン注入装置を使用してるが、再度東北大学試作コインランドリを利用して研究を継続したいと考えている。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件