【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.15】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24TU0032

利用課題名 / Title

光導波路の作製

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

導波路,電子線リソグラフィ/ EB lithography,光導波路/ Optical waveguide

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

阿部 峻佑

所属名 / Affiliation

株式会社 アドバンテスト研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-064：エリオニクス 130kV EB描画装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

光導波路の試作評価のため、EB描画装置により導波路パターンの描画条件出しを行った。

実験 / Experimental

ポジ型EB レジスト (ZEP520A)を用いて、ドーズ量を20 μC/cm² 刻みで160 μC/cm² から320 μC/cm²の範囲で変えて現像後の形状を観察した。

結果と考察 / Results and Discussion

図１に観察したEB レジストパターンの顕微鏡写真を示す。ドーズ量が160 μC/cm² ではドーズ量が少なくレジスト残渣が生じたが、220 μC/cm²以上では残渣はなくなった。ドーズ量360 μC/cm²では最も細い100 nm のパターンに剥離が見られた。ドーズ量240 μC/cm²が本レジストに対して最適な条件だと考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１　レジストパターン

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件