【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT1277

利用課題名 / Title

前工程設備を使った小口径ウェーハの切り出しサンプル作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

リソグラフィ/ Lithography,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

下房　 大悟

所属名 / Affiliation

(株）ディスコ営業技術部　マーケティンググループ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

村上　真里奈

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

水島　彩子

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-504：光リソグラフィ装置MA-6
UT-800：クリーンドラフト潤沢超純水付

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

リソグラフィを使った小口径ウェーハの切り出しサンプル作製。

実験 / Experimental

φ6inch Siウェーハに小口径切り出しのマスクパターンをリソグラフィし、自社装置で分割するためのサンプルを作製した

結果と考察 / Results and Discussion

小口径切り出し用のガラスマスクパターンを使いマスクアライナーでリソグラフィを行った。切り出し用ラインの出来上がり線幅は100μmに対してウェーハ中央で110μm、ウェーハエッジで112μmであった。小口径切り出し後は別工程で外形を整えるため、10%程度の誤差は許容値であり問題無い事を確認した。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件