【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0304
利用課題名 / Title
断面観察による薄膜の膜厚比較
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
チップレット/ Chiplet,ハイブリッドボンディング/ Hybrid Bonding,電子顕微鏡/ Electronic microscope,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration),集束イオンビーム/ Focused ion beam
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
服部 奈々
所属名 / Affiliation
メルテックス株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
希代 誠
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
寺西 亮佑
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
現在、ガラス基板もしくはウェハ上において微細配線形成の技術が必要なっている。集束イオン/電子ビーム 複合ビーム加工観察装置（JIB-PS500i）を用いて、断面加工を行い、Ti/Cuシード層除去の処理前後にてCu配線形成の確認を行った。
実験 / Experimental
Ti/Cuシード層除去前、Cuシード層除去後、Ti層除去後において、集束イオン/電子ビーム 複合ビーム加工観察装置（JIB-PS500i）を用いて断面加工を行い、Cu配線形成の確認を行った。評価箇所についてはL/S＝2/2μmの箇所を観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
試験結果について、Cuシード層除去後については、Cu配線幅の減少量が少なく、アンダーカット量もほぼない良好な形状であることが確認された。Ti層除去後についても、Cu配線幅の減少量が少なく、アンダーカット量もほぼない良好な形状であることが確認された。処理時間違いで、シード層が除去された時間よりも延長した時間で処理したサンプルについても、良好な形状であることが確認された。また、シード層除去前の条件について、シード層と基材との間に隙間が確認されており、密着性に問題があるのではないかと推測した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件