【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0357
利用課題名 / Title
LED断面構造解明
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
半導体素子, 樹脂膜厚,電子顕微鏡/ Electronic microscope,イオンミリング/ Ion milling
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
寿崎 泰佑
所属名 / Affiliation
旭化成株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-102：高分解能走査型分析電子顕微鏡
UT-153：クロスセクションポリッシャー(CP)
UT-158：大気非暴露対応冷却クロスセクションポリッシャ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体素子上の樹脂膜厚を把握するため、断面SEMにて観察・測長を実施する。
実験 / Experimental
半導体素子上の樹脂膜厚を把握するため、樹脂包埋後に室温CP（SM-09010, SM-09020）および冷却CP（IB-19520CCP）を実施し断面出しを実施。
その後、断面SEM（JSM-7800F）にて観察・測長を実施する。
結果と考察 / Results and Discussion
室温CPおよび冷却CPともに断面の観察が可能であり、所望の測長を実施できた。機械研磨の残渣が断面に入り込んでいるため、研磨時の目地を丁寧に変化させる必要がある。また、CP時の仕上げ加工も断面を明瞭に観察するうえで非常に有用な手法であった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件