【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0235
利用課題名 / Title
圧電薄膜のデバイス開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
アクチュエーター/ Actuator,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
李 昇穆
所属名 / Affiliation
株式会社シリコンセンシングプロダクツ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
森山 雅昭
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
圧電薄膜の機能性を向上するため、酸素ガス雰囲気で熱処理を行った。
実験 / Experimental
【装置】
酸素加圧RTA付き高温スパッタ装置（TU-164）
【実験方法】
同一条件で成膜した圧電薄膜に対して酸素雰囲気にて熱処理を行った。高い酸素ガス圧雰囲気で熱処理を行い、その応力の変化を測定した。熱処理の条件はTable 1である。
結果と考察 / Results and Discussion
2つの熱処理条件でそれぞれTable 2の結果を得た。熱処理条件1の時は18.6 MPaの引張り応力（Tensile Stress）、熱処理条件2mの時は-26 MPaの圧縮応力（Compressive Stress）となり、高い温度（650℃）条件での熱処理によって、引張応力がもっと低減され、圧縮応力となった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table 1 Heat treatment condition
Table 2 Heat treatment results
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件