【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24MS5018
利用課題名 / Title
フォトレジストを塗布した基板作成
利用した実施機関 / Support Institute
自然科学研究機構 分子科学研究所 / IMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
フォトレジスト材,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
岩山 洋士
所属名 / Affiliation
分子科学研究所 極端紫外光研究施設
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
高田 紀子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
放射光X線吸収分光法は、局所的な構造解析に適している。フォトレジストの反応は、光照射による化学変化を利用して微細なパターンを形成するプロセスであるため、露光前後での化学反応をUVSORの放射光軟X線で観測できるかを検証した。
実験 / Experimental
ARIMを利用しMerkのフォトレジストAZ1500 (38cP)を測定対象とし、g線で露光した前と後の２つの試料を用意した。軟X線吸収分光法は、UVSOR BL4Bにて全電子収量法で行った。フォトレジスト材が絶縁体でありチャージアップしないように、また感光することをふせぐため、照射Ｘ線強度は弱めて実験した。
結果と考察 / Results and Discussion
図１に、露光前後でのフォトレジスト材の炭素Ｋ殻吸収端における吸収スペクトルを示す。露光後にPhenyl基に由来する285eVのピークが弱くなり、C-C結合に由来するであろう289eVのピークの増強が観測された。この結果、Ｘ線吸収分光法は、露光によるフォトレジスト材の光化学反応が観測できることを示している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１. 露光前後でのフォトレジスト材のX線吸収スペクトル
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件