【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24MS5019
利用課題名 / Title
リソグラフィによる微細構造の製作および評価
利用した実施機関 / Support Institute
自然科学研究機構 分子科学研究所 / IMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子線リソグラフィ/ EB lithography,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高田 紀子
所属名 / Affiliation
分子科学研究所 装置開発室
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
木村 幸代,石川 晶子
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
研究者からの依頼対応として、電子ビーム（EB）描画装置と専用レジストを用いて微細構造の製作を行っている。
実験 / Experimental
作業工程を図1に示す。10mm角のCeO2/Si基板に対して、（１）EB描画によるレジストパターンの製作、（２）蒸着によるAuの成膜、（３）レジストの除去、の3つの工程によりAuのパターンを得る「リフトオフ法」で行った。評価は、SEMによるパターンの形状観察と、段差計によるAu膜の厚さ測定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
線幅および間隔が30nmと50nmのL&S（ライン＆スペース）のパターンを、それぞれ5×2mmの範囲一面に配置した。製作したパターンのSEM画像を図2に示す。（３）のレジスト除去の工程は溶媒中での超音波洗浄により行うが、パターンの剥がれを防ぐためにできるだけ短時間で行う必要がある。超音波洗浄を終わらせるタイミングをはかる目的で、顕微鏡で見えるサイズのパターンとして、線幅および間隔が500nmのL&Sのテストパターンを同基板上に3か所配置した。
SEM観察の結果より、一部でAuパターンの剥がれがみられるが、超音波洗浄の時間を今回の10分から短くすることで、パターンの剥がれをいくらか抑えることができると考えている。また、段差計での測定結果から、蒸着膜厚は12nm程度であった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1：作業工程の模式図
図２：製作サンプルのSEM画像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件