【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2522
利用課題名 / Title
配向性Pt薄膜の形成
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
めっき,磁気メモリ,スピントロニクス/ Spintronics,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高村 陽太
所属名 / Affiliation
東京科学大学 工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
諫早伸明
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-201：多元スパッタ装置（仕様Ａ）
KT-111：ウエハスピン洗浄装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代の情報ストレージメモリとして期待される3次元磁気メモリでは，垂直磁気異方性を有する磁性膜をスピン軌道相互作用が大きな配線上に形成することが求められえている。
本研究では，この配線を模した111配向したPt薄膜を技術代行で作製し，その上にめっき技術で磁性膜を作製し，磁化特性や結晶構造などを評価し，3次元磁気メモリための磁性めっき技術を確立する。
実験 / Experimental
まず，熱酸化Si基板ウェハーを洗浄（KT-111）し，その後アモルファスのバッファ層とPt層をスパッタ（KT-201）し，111配向膜のPtを形成した。
結果と考察 / Results and Discussion
Pt111配向膜を技術代行で作成いただいた。その上に，CoPt 薄膜をめっき成膜した。CoPt薄膜は，Pt111層からエピタキシャル成長し，hcp0001配向膜の形成を確認した。また，CoPt薄膜の磁化特性の評価から，垂直磁気異方性を示すことを明らかにした。これは結晶配向制御により形成されたと考えられる。以上の結果は，めっきで作製したCoPt層が3次元磁気メモリの磁性膜として適していることを示している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- T. Huang, Y. Takamura, S. Isogami, T. Shirokura, Y. Saito, Md. M. Hasan, M. Saito, S. Kasai, S. Nakagawa,” Detection and precise evaluation of spin-orbit torque in electrochemically deposited CoPt thin film with integrated harmonic Hall measurement,” ICM, ICM2024_6.02_264, Italy, Oral, Jun. 2024.
- S. Nakagawa, T. Huang, Y. Takamura,” Ultra-thin Electrodeposited CoPt Films for Three-dimensional Domain Wall Motion Memory (3D-DWMM),” Noma Tech, Mongolia, Jul. 2024.
- 斎藤美紀子, M. M. Hasan, 黄童雙, 高村陽太, 本間敬之, “テンプレート法を用いたCo-Pt電析用高アスペクト比ナノ構造作製検討,” 表面技術協会第150回講演大会, 北見工業大学, 13A-10, 2024年9月.
- 高村陽太，黄童雙,Md. M. Hasan, 田中佑哉, 斎藤美紀子, 中川茂樹, “3次元磁気メモリのためのCoPt電析膜の成長過程の解析,” 第48回日本磁気学会学術講演会, 秋田大学, 26aB-11, 2024年9月.
- M. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, P. Allongue, T. Homma, “Seed Layer Effect on Electrodeposited 3D CoPt Alloy Nanowires for Magnetic Storage Application,” PRiME, Hawaii, USA, C04-1651, Oct. 2024.
- 高村陽太，”3次元磁気メモリのためのめっき技術“, 日本磁気学会 第251回研究会，2024年11月18日．
- 高村陽太, 黄童雙, Md. M. Hasan, 齋藤美紀子, 葛西伸哉, 大島大輝、加藤剛志、中川茂樹, “[招待講演] 3次元磁気メモリ応用のためのCoPt極薄膜およびナノ円柱のめっき形成技術,” 電子情報通信学会 磁気記録・情報ストレージ研究会, 愛媛大学, 2024年12月6日.
- T. Huang, S. Isogami, T. Shirokura, Md. M. Hasan, M. Saito, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Kasai, S. Nakagawa, Y. Takamura, “Demonstration of current-induced spin-orbit torque magnetization switching in electrodeposited CoPt ultrathin film,” 14p-K303-12, The 72nd JSAP Spring Meeting 2025, Chiba, Mar. 2025.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件