【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.31】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0284
利用課題名 / Title
スパッタAl-Si-Cuの膜厚均一性評価
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
Al-Si-Cu,配線材料,エレクトロマイグレーション耐性向上,Al拡散抑制
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
下方 駿佑
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
AlにSi, Cuを添加させたAl-Si-Cuは配線材料として用いられる。AlにSiを添加させる理由は下地シリコン中へのAlの拡散を抑制するため、Cu添加はエレクトロマイグレーション耐性向上のためである。4インチシリコンウェハにスパッタリングで製膜されたAl-Si-Cuの面内膜厚均一性を評価した。
実験 / Experimental
スパッタ装置で4インチシリコンウェハ全面にAl-Si-Cuを製膜、産総研ナノプロセシング施設NPF072 微小部蛍光X線分析装置を利用し膜厚を測定、均一性を評価した。測定箇所はウェハ中心、ウェハ中心から4cmの四隅の計五点とした。
結果と考察 / Results and Discussion
微小部蛍光X線分析装置で測定したAl-Si-Cu膜厚を表1に示す。
表1の五点でのデータの比較から、面内に均一にAl-Si-Cuが製膜されていることがわかった。(最大膜厚－最小膜厚)/(最大膜厚＋最小膜厚)の値で評価される均一性は1.2%であった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図 1 Al-Si-Cu膜厚測定箇所模式図
表 1 蛍光X線分析装置で測定したAl-Si-Cu膜厚
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
産総研ナノプロセシング施設の方々に感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件