【公開日：2025.06.13】【最終更新日：2025.05.16】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23NU0054

利用課題名 / Title

半導体の構造評価

利用した実施機関 / Support Institute

名古屋大学 / Nagoya Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代バイオマテリアル/Next-generation biomaterials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

電子顕微鏡/ Electronic microscope,ウエアラブルデバイス/ Wearable device,電子回折/ Electron diffraction

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

鵜嶋 秋臣

所属名 / Affiliation

浜松ホトニクス株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

桒原真人,内田和子

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

依田香保留

利用形態 / Support Type

（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NU-103：高分解能透過電子顕微鏡システム
NU-105：バイオ/無機材料用高速FIB-SEMシステム

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

エピ成長した半導体の構造解析により結晶成長条件の検討を行う。

実験 / Experimental

FIB-SEMにより該当箇所のTEM断面試料作成を行い、TEMによる高分解能像を取得する。

結果と考察 / Results and Discussion

電子顕微鏡を用い詳細な微細構造解析を実施した結果、エピタキシャル成長させた半導体表面や界面の原子配列構造とその面方位、また設計した膜厚通りの構造になっているか確認することに成功した。これによりエピ成長条件の詳細な検討が可能となった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件