【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1383

利用課題名 / Title

フォトレジストのドライエッチング耐性評価

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

レジスト材料,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

中川 卓哉

所属名 / Affiliation

住友化学株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

諫早伸明

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-234：深堀りドライエッチング装置（１）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ドライエッチング耐性の優れたフォトレジスト材料を開発するために、まずは弊社顧客におけるドライエッチング評価結果と再現を取るためのエッチング装置のガス種/流量等の条件検討をおこない、検討した条件でフォトレジスト組成との相関を調べる。

実験 / Experimental

ドライエッチング装置の、RF出力、ガス種、流量および加工時間を変えて条件検討をおこない、フォトレジスト材料のエッチング耐性（エッチングレート、形状）や基板の加工後形状を評価した。

結果と考察 / Results and Discussion

O₂/Ar/C₄F₈ガス等を用いることで、用いたレジストが問題なくエッチングできることを確認した。また下地の基板がエッチングされることについても併せて確認することができた。今後は、必要に応じて同条件下で他レジストを加工することでレジスト間のエッチング耐性の差についても検討・考察を進めていきたい。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件