【公開日：2025.06.09】【最終更新日：2025.06.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23OS0042
利用課題名 / Title
シリコンパターン構造上へのGe堆積に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
半導体材料,薄膜,ナノ構造,電子顕微鏡/ Electronic microscope
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
安藤 妙子
所属名 / Affiliation
立命館大学 理工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
大志万 創太
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
高木 空
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
加工を施した2種類のシリコンチップについて観察を行った．観察に用いた試料は，(1) 異方性ウエットエッチングで加工した深さ1ミクロンの3次元構造，(2) シリコンチップ上に形成した酸化膜のナノスケールパターン，の2種類である．これらについて電子顕微鏡による形状の観察およびEDX解析を行った．
実験 / Experimental
2種類のシリコンチップについて電子顕微鏡観察を行い，またEDX解析により元素分析し，(1) の試料については側壁にのみ酸化膜を残す加工を施しているため，それらが実現できているか，(2) の試料については最小で 5nm のパターンを形成しており，それらができているかどうかを確認した．
結果と考察 / Results and Discussion
(1) では，深さ 1ミクロンの側壁（斜面）に酸化膜が存在し，それ以外ではほぼ存在していないことを確認できた．以上より，試料が研究の要求仕様を満たしていることが明らかとなった． (2) ではナノスケールのパターンを確認することができなかった．チップ表面上に酸素の存在もほとんどみられなかったことから，エッチング加工に失敗したことが明らかである．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 エッチング加工後のシリコン側壁とEDX解析の結果．
図2 シリコン酸化膜パターンの作製．酸化膜は存在せず，シリコンのみ加工された様子
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
[1] Sota Oshima, 第85回 応用物理学会秋季学術講演会, 2024/09/19
[2] 大志万 創太, 安藤 妙子, 江藤 剛治, 第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム, 2024/11/25
[3] 2024年度 特許出願
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件