【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24WS0391
利用課題名 / Title
カンチレバーへのAl2O3膜の成膜
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
薄膜/ Thin films, カンチレバー/ Cantilever,エリプソメトリ/ Ellipsometry,ALD,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,原子層薄膜/ Atomic layer thin film,赤外・可視・紫外分光/ Infrared/visible/ultraviolet spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
蓮見 学
所属名 / Affiliation
株式会社ニコン
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
星野 勝美,野﨑 義人
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
WS-004：原子層堆積装置
WS-026：高性能分光エリプソメータ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
AFMカンチレバーのチップ先端表面部に対してAl2O3膜を被覆させるために、ALD成膜装置を用いてカンチレバーへの成膜を実施した。
実験 / Experimental
ALD装置：PICOSUN社 ALD装置（ALDの方式はサーマル式）（WS-004）
成膜条件：成膜温度200 ℃、サイクル数100（プリカーサー等の流量・時間等は成膜装置にあるレシピに準じた）
カンチレバーの載せるための専用トレイ（SUS製 自作）を用意し、カンチレバーおよび膜厚確認用Si基板を入れて、成膜装置に投入した。膜厚評価用Si基板は、事前に最表層のSiO2膜厚を分光エリプソメータ（WS-026）で計測しておいた（Fig.1）。
結果と考察 / Results and Discussion
上記条件でカンチレバーへ成膜を行い、テストピースSi基板上に堆積されたAl2O3膜厚を分光エリプソメータ（WS-026）で確認した。Al2O3膜厚は8.1 nmであった（Fig.2）。同じ成膜バッチに入れたカンチレバーの先端部表面もSi基板に自然酸化膜SiO2が堆積しており、テストピースと同じ材料構成であるため、Si基板と同等の膜厚が堆積されたと判断した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 テストピースSi基板表面SiO2膜厚評価（分光エリプソメータ）
Fig.2 ALD成膜後のSi基板上のAl2O3膜厚評価（分光エリプソメータ）
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件