【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT1008
利用課題名 / Title
圧電MEMSデバイスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
圧電材料,ダイシング/ Dicing,センサ/ Sensor,リソグラフィ/ Lithography,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
矢吹 紘久
所属名 / Affiliation
アズビル株式会社技術開発本部マイクロデバイス部
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-605：塩素系ICPエッチング装置
UT-604：高速シリコン深掘りエッチング装置
UT-505：レーザー直接描画装置 DWL66+2018
UT-900：ステルスダイサー
UT-851：機械特性評価装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
圧電材料を用いたMEMSデバイスを開発しており、そのデバイス構造を形成するにあたって、東京大学で保有しているCE-Sにて条件出しを行った。
AlN, Pt, Moなどの各種薄膜に対して、ガス種、流量、パワーなどを調節し、加工性を調査した。
実験 / Experimental
弊社内で事前に8インチウエハ上に各種薄膜(AlN, Pt, Mo)を成膜し、各薄膜に対して、ガス種を変えてそれぞれエッチングレートや断面SEMにてエッチングプロファイルなどを確認した。その後、実際のデバイス構造を形成するために、各種積層膜を成膜後、露光工程でパターニングし、各種薄膜をエッチング、デバイス構造に問題がないかを観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
8インチウエハ上に成膜した各種薄膜に対して、問題なくエッチングができることを確認した。
対象の薄膜に対して利用したガス種とエッチングレートを以下に示す。
① AlN…使用ガス種：Ar/Cl2/BCl3、エッチングレート ～ 200nm/min
② Pt…使用ガス種：Ar/Cl2、エッチングレート ～ 70nm/min
③ Mo…使用ガス種：Ar/Cl2/O2、エッチングレート ～ 100nm/min
実際にこれらの条件を利用して作製した積層構造のSEM画像を図1に示す。
今後は上記条件をベースに、設計したMEMSデバイスを作製することを計画している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 エッチングプロファイル (SEM像)
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件