【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.30】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT1106

利用課題名 / Title

WO₃センサの作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

ナノワイヤー・ナノファイバー/ Nanowire/nanofiber,電子線リソグラフィ/ EB lithography,センサ/ Sensor,電子顕微鏡/ Electronic microscope,スパッタリング/ Sputtering,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

内田 建

所属名 / Affiliation

東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503：超高速大面積電子線描画装置
UT-505：レーザー直接描画装置 DWL66+2018
UT-711：LL式高密度汎用スパッタリング装置 (2018)
UT-853：簡易電子顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

WO₃ナノワイヤを用いたデバイスを作製するため，リソグラフィの最適な露光条件を求めた．

実験 / Experimental

Si基板上にOAP, LOR, JSRレジストを塗布した後，レーザー描画(UT-505)を用いたリソグラフィーと現像によって直線のパターンを作製した．リソグラフィでは，異なるいくつかのレーザー強度でパターンを描画した．その後，簡易電子顕微鏡(UT-853)を用いて，各レーザー強度でのレジストの断面観察を行い，リフトオフに最適な形状をもつレーザー強度を求めた．そのレーザー強度を用いて，WO₃ナノワイヤのデバイスを作製した．

結果と考察 / Results and Discussion

リソグラフィの最適な露光条件は70mWであることが分かった．断面を確認したところ，リフトオフに適した形状となっている様子が観察された(Fig.1)．レーザー強度70 mWでの露光条件で，WO₃ナノワイヤのデバイスの作製に成功した．

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig.1 レジスト断面図

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

1. 成田 雄紀, 豊島 遼, 内田 建,「六方晶(NH4)xWO3ナノワイヤの酸素アニールによる新奇な電子濃度制御技術」，第85回応用物理学会秋季学術講演会，新潟，9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート, 16p-C301-13, 2024年9月16日．
2. 成田 雄紀, 豊島 遼, 内田 建,「六方晶(NH4)xWO3ナノワイヤの酸素アニールによる材料物性変化機構の解明」，第72回応用物理学会春季学術講演会，東京，9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート, 15a-K307-10, 2025年3月15日．

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件