【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NI0803
利用課題名 / Title
新物質R2Ni6(Al,Si)15の構造
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋工業大学 / Nagoya Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
カイラル磁性体
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
加古 雄大
所属名 / Affiliation
名古屋工業大学大学院工学専攻材料機能プログラム
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
小澤智宏
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
組成比がR0.67TnM2n+m[1]で表される金属磁性体の物質群はR2M3層を共通に含んでいる。この物質群に含まれるR2T6M15 (n, m = 2, 1)は六方晶Sc0.67Fe2Si5型構造(空間群P 63/mmc, #194)[2]、RT3M9 (n, m = 2, 2)は三方晶ErNi3Al9型構造(空間群R 32, #155)[3]である。本研究では、カイラル磁性体YbNi3Al9のAlの一部をSiで置換して、カイラル磁気構造の制御を試みた。その過程でSiの濃度によっては、これまで報告のないYb2Ni6(Al,Si)15の単結晶が得られることがわかった。そこで、R2Ni6(Al,Si)15について、格子定数や結晶構造のSi置換濃度依存性を明らかとし、R2Ni6(Al,Si)15が育成された理由を考察した。
実験 / Experimental
R2Ni6(Al,Si)15の単結晶構造解析をNI-008を使用して行った。
結果と考察 / Results and Discussion
R2Ni6(Al,Si)15(R = Y, Sm, Gd-Lu)の単結晶育成に成功した。Gd2Ni6(Al,Si)15, Yb2Ni6(Al,Si)15についてSi仕込み濃度を変更して育成を行ったところ、4.9%以下のSi低濃度置換ではRNi3(AlSi)9が、高濃度置換ではR2Ni6(Al,Si)15が育成された。この時、Si置換濃度の増大に伴い、格子定数が縮んでいく。それと共に、R2Al3層の積層の乱れが増加する。積層の乱れの影響でR Ni3Al9はErNi3Al9型構造を保つことができず、Sc0.67Fe2Si5型構造のR2Ni6(Al,Si)15になってしまうと考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
新物質R2Ni6(Al,Si)15の結晶
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件