【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.31】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0042
利用課題名 / Title
半導体・磁気デバイス微細加工技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
長坂 恵一
所属名 / Affiliation
国立研究開発法人 産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
杉山和義
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
微細半導体デバイス電気特性評価用素子の電極パッド形成のため、レーザービーム描画装置を利用しエッチングマスク用レジストパターンの形成条件を調査。所望のパターン寸法に対しレーザー描画のパワー，オフセットを最適化することにより，端部垂直形状の理想のマスクパターンを形成できることを確認した。
実験 / Experimental
最表面がSiO2からなる20 mm角基板上に、ポジレジストを塗布しレーザービーム描画装置を用いてエッチングマスク用のレジストパターンを形成した。レジスト塗布、レーザービーム描画、及び現像には以下の条件を用いた（レーザービーム描画以外は自部署にて処理）。
●レジスト塗布
・レジスト：TLOR-posi（東京応化）
・回転数：5000 rpm
・ベーク温度：110℃・レジスト厚：3 μm
●レーザービーム描画
・Head：5 mm
・Laser Power：70~90 ｍW
・Intensity：50%
・Filter：50%・Offset：-20~0
●現像
・現像液：NMD-3（東京応化）
・現像温度：室温
・現像時間：60 秒
結果と考察 / Results and Discussion
上記描画条件により形成レジストマスクパターンの断面（テーパー）形状は変化。基本的には底部が広がるパターン形状や，最下部にくびれが生じる形状となるが，最適な描画条件を用いることで理想的な垂直断面形状のレジストパターンを形成することができた。このようなマスクパターンを用いることにより，所望の寸法や形状の下部材料のエッチングが可能となる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Cross section view of formed resist pattern with varid laser exposure conditions
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件