【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.07】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0083

利用課題名 / Title

半導体プロセス用材料の性能評価およびプロセス検討

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

原子層堆積, SAM24, BDEAS,ALD,エレクトロデバイス/ Electronic device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

近藤 克哉

所属名 / Affiliation

富士フイルム株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎　将嗣

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-102：原子層堆積装置_3〔FlexAL〕

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

本課題は半導体プロセス用材料の性能評価を目的として、SAM24とO₂を用いてプラズマALD成膜を検討した。

実験 / Experimental

・利用した主な実験装置
【AT-103】原子層堆積装置_3付帯XPS装置（アルバック・ファイ)
・実験方法
原子層堆積装置(FlexAL)を用いてSi基板上にプラスマALD法でSiO₂を成膜した。以下に成膜条件を示す。
　プリカーサー：BDEAS (SAM24)
　反応剤：O₂プラズマ
　成膜温度：300℃
　サイクル数：116, 464 cycle
　①100ms, BDEAS/Ar
　②Purge 3s, O₂/Ar
　③2s, O₂
　④5s, O₂ plasma
　⑤Purge 2s, Ar
成膜後にエリプソメーターおよびXPSを用いて膜厚と元素組成を解析した。

結果と考察 / Results and Discussion

エリプソメーターを用いて膜厚を測定した結果を図1に示す。成膜速度GPC (Growth per cycle) ＝ 0.88Å/cycであり、Si基板に対してインキュベーションタイム無く、成膜が進行している様子を確認した。次に、SiO₂を成膜したサンプルに対してXPSで元素組成を測定した結果を図2に示す。「Si」と「O」が同比率で成膜したが、116cycは464cycより「C」比率高いことを確認した。CはSi基板の前処理不十分による持ち込みと考察した。今後は、他の分析手法を用いて膜質について詳細に評価を進めていく予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

技術補助・代行をご担当いただいた山崎将嗣様はじめ、産業技術総合研究所ナノプロセシ ング施設の皆様に深く感謝致します。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件