【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0124
利用課題名 / Title
ナノカーボン材料のデバイス作製と評価
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
ナノカーボン/ Nano carbon,ALD,高周波デバイス/ High frequency device,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration),原子層薄膜/ Atomic layer thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
藤井 健志
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
杉山 和義,山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
2次元絶縁体であるh-BNはグラフェンを始めとした2次元材料のデバイス特性を発揮する基板材料として注目を集めている。しかし、課題として大面積化と厚膜化（10nm）があり、汎用的な手法でその実現が求められている。今回、半導体プロセスで一般的に用いられているALDにてSi基板上への厚膜h-BNを試みた。
実験 / Experimental
ALD装置はナノプロセシング施設の【AT-102】原子層堆積装置_3[FlexAL]を用いて成膜することとした。
結果と考察 / Results and Discussion
基板はSi基板を用い、有機洗浄を行った。ALD成長はBプリカーサーとしてTDMAB、NプリカーサーNH3を用い、550℃にて200サイクル成長させた。成膜後のAFM像を図1に示す。表面にパーティクルが観測されたが、成長前の基板にも存在し、元からの基板の汚れであると考えらえる。また、成膜前後を比較しても表面形状に顕著な違いは観測されず、h-BN形成されているか判断できなかった。以上より、現状、【AT-102】原子層堆積装置_3[FlexAL]をによるALDでh-BNの成長を確認できていない。今後、基板の洗浄の改善、成長前チャンバー内クリーニング、成長条件検討等を検討する予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 Si基板上にALD成長したh-BNのAFM像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件