【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0131
利用課題名 / Title
Si系半導体デバイスの加工
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高橋 正紘
所属名 / Affiliation
株式会社 KOKUSAI ELECTRIC
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
増田 賢一,杉山 和義
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-006：マスクレス露光装置
AT-023：電子ビーム真空蒸着装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
過去、Si LSIの発展は微細化による高集積化・高性能化にて成し遂げてきたが、近年はデバイス構造等を変えることが多い。その中で、FET等のチャネル層材料の多様化が進み、幅広い半導体材料の電気的特性評価が求められている。 半導体材料の電気的特性を評価する上で、微細加工された際に特有の影響が重要である。本報告では、露光装置を用いてフォトレジストのパターニングを行い、金属電極パターンを作製したので報告する。
実験 / Experimental
マスクレス露光装置を用いてSi基板上にフォトレジストパターンを形成した。電子ビーム真空蒸着装置を用いて金属膜を成膜し、リフトオフによって金属電極パターンを形成した。
結果と考察 / Results and Discussion
Figure 1に、マスクレス露光装置と電子ビーム蒸着装置にて加工した金属電極パターンの顕微鏡写真を示す。マスクレス露光装置で描画した通りのパターンが形成されていることが確認できた。マスクレス露光装置によるパターニングも電子ビーム蒸着装置による金属膜成膜にも問題無く、サンプルごとのバラツキも無く電極パターンを作製することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Figure 1 Picture of metal electrode pattern
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件