【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0172
利用課題名 / Title
光実装の高度化プロセスの検討
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子線リソグラフィ/ EB lithography,光導波路/ Optical waveguide,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
板谷 太郎
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
菊地 奎人
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
木塚 優子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
データセンター向けの高密度光実装において、３次元の光実装の技術検証に関する研究を行っている。実施内容としては、シリコン基板上にマイクロ凹面鏡を電子線描画プロセスでパターンを形成して、反応性イオンエッチング法により凹面形状を形成した。
実験 / Experimental
マイクロミラーのマスク形成では、シリコン基板上にALD法によるAl2O3膜を成膜した。利用した装置は、所属のプラットフォームフォトニクス研究センターのUltratech社製の型式Fijiを用いた。その上に、電子線レジストをスピンコートして、電子線描画装置（CRESTEC社製）を用いて直径10μｍ、20μｍ、40μｍのポジパターンの形成を行った。Al2O3膜のエッチングにはCHF3と酸素の混合ガス用いた。その後に、SF6ガスを用いてシリコン基板のエッチングを行った。
結果と考察 / Results and Discussion
エッチング後の凹面形状の評価には、所属のプラットフォームフォトニクス研究センターのレーザ顕微鏡を用いた。直径10μｍのマイクロミラーの曲率は13.8μm、直径20μｍのマイクロミラーの曲率は26.9μｍ、直径40μｍのマイクロミラーの曲率は73.0μｍの結果が得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
マイクロミラーの直径と曲率半径
試作したマイクロミラーのレーザ顕微鏡による観察イメージ
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件