【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.15】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0199
利用課題名 / Title
人工物メトリクス用ナノスケール倒れパターンの低コスト作製技術開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
人工物メトリックス（artifact-metrics）,電子線リソグラフィ/ EB lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
尹 成圓
所属名 / Affiliation
国立研究開発法人 産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
木塚 優子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
人工物メトリックスとは、人工物が有するユニークな特性情報を用いて真正性（本物であること）を検証するとともに、人工物のクローンを作製することを困難にする技術である。本研究では、EBLにおいて、高アスペクト比パターンのランダム倒し現象を起こし、その結果、得られた構造体をセキュリティ用パターンとして活用する。また、作製費用の低コスト化を目的に、超高速電子ビーム加工装置（UHSEB）を用いたプロセスを構築した。
実験 / Experimental
Si基板上にEBネガレジストを成膜し、超高速電子ビーム加工装置（UHSEB)にて高アスペクト比ナノパターンのEBLを行い、SEM観察により評価を行った。EBレジスト成膜は基本外部で行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Si基板上にEBネガレジストを成膜し、超高速電子ビーム加工装置（UHSEB)にて高アスペクト比ナノピラー（幅設計値：90nm、アスペクト比：約３）のランダム取れパターンの作製を実証した。信頼性や再現性の改善に向けての課題としては次が考えられる。① ナノピラー構造体の断面形状において、初期描画方向に平行する幅が大きい現象が観察された。描画条件調整によりある程度改善できるものの、装置側の改善も必要であると思われる。② 再現性確保のためには、レジストと基板の密着性低下に影響を及ぼす因子に関する検討も必要であると判断される。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本実験の結果の一部は国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の受託事業「経済安全保障重要技術育成プログラム／半導体・電子機器等のハードウェアにおける不正機器排除のための検証基盤の確立」（JPNP23013）によって得られたものである。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件