【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0252
利用課題名 / Title
高精度慣性センサ用MEMSデバイスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ALD,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
沖元 直樹
所属名 / Affiliation
住友精密工業
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
天野晏年
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMSセンサ開発にあたり、Al/SiO2/Si基板上に薄膜SiNの成膜が必要になった。2024年に原子層堆積装置 FlexALの3DMASを用いて10nmtのSiNを1.6umtAlパターン上に成膜し、膜厚測定を行った。
実験 / Experimental
産総研NPFで実施
ALD：AT-031 FlexAL, 成膜条件は表１に示す。
弊社内で実施
分光エリプソメトリー
結果と考察 / Results and Discussion
SiN成膜前後の基板表面の様子を図1に示す。
基板上へのSiN成膜は、Al膜が変形・変質することなく良好に成膜することができた。
社内での分光エリプソメトリーの膜厚測定では、SiN膜下にSiO2膜が存在していたため、正確な膜厚測定を行うことができなかった。
今後、SiN膜の膜厚測定が課題である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 SiN成膜条件
図1 SiN成膜前後の基板表面
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件