利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.13】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0252

利用課題名 / Title

高精度慣性センサ用MEMSデバイスの開発

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

ALD,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

沖元 直樹

所属名 / Affiliation

住友精密工業

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

天野晏年

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎将嗣

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術代行/Technology Substitution(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-031:原子層堆積装置_1[FlexAL]


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

MEMSセンサ開発にあたり、Al/SiO2/Si基板上に薄膜SiNの成膜が必要になった。2024年に原子層堆積装置 FlexALの3DMASを用いて10nmtのSiNを1.6umtAlパターン上に成膜し、膜厚測定を行った。

実験 / Experimental

産総研NPFで実施
ALD:AT-031 FlexAL, 成膜条件は表1に示す。
弊社内で実施
分光エリプソメトリー

結果と考察 / Results and Discussion

SiN成膜前後の基板表面の様子を図1に示す。
基板上へのSiN成膜は、Al膜が変形・変質することなく良好に成膜することができた。
社内での分光エリプソメトリーの膜厚測定では、SiN膜下にSiO2膜が存在していたため、正確な膜厚測定を行うことができなかった。
今後、SiN膜の膜厚測定が課題である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


表1 SiN成膜条件



図1 SiN成膜前後の基板表面


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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