【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0273

利用課題名 / Title

薄膜の電気特性評価

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

CVD,エレクトロデバイス/ Electronic device

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

西田 章浩

所属名 / Affiliation

株式会社ADEKA

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-051：デバイスパラメータ評価装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

目的
半導体向け薄膜のリーク電流密度を評価するためにデバイスパラメータ評価装置を利用した。
実施内容
MISキャパシタの作成と電気特性評価

実験 / Experimental

p-Si(100)基板上にSiO₂膜をCVD法により作成した。その後、上部下部電極をスパッタ法により堆積した。上部電極はハードマスクを用い、所望のサイズの電極を形成した。得られたMISキャパシタをデバイスパラメータ評価装置にて-20V～20Vの電圧でI-V測定を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

I-V測定の結果、リーク電流密度は1.5×10^-8 A/cm² @ 1Vであることが確認された。（図１）これは、文献値(8.2×10^-8A/cm² @ 1V)と比較して同等もしくは良好な結果であり、高品位なSiO₂膜が得られたことが示されている。測定範囲-20V～20Vでは、概ね一定のリーク電流密度であり、良好な絶縁特性を示すことが確認された。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1　I-V測定結果

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

S-Y Tsai et al 2008 J. Phys.: Conf. Ser. 100 042030

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件