【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0275
利用課題名 / Title
単分子誘電体不揮発性メモリの微細化
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
CVD,リソグラフィ/ Lithography,エレクトロデバイス/ Electronic device,スパッタリング/ Sputtering,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
日塔 光一
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
杉山 和義
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-082：化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE）
AT-030：プラズマCVD薄膜堆積装置
AT-095：RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦）
AT-110：レーザー描画装置〔DWL66+〕
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
錯体薄膜をゲートに導入したFETの作製を目的とした錯体薄膜の物理特性評価とFETの作製を行った。
実験 / Experimental
・SiO2上に錯体薄膜を成膜し、薄膜XRD測定及びXPS測定を行った。
・熱酸化炉、スパッタ、CVD、エッチャー、レーザー描画装置を用いてFETデバイスの作製を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
錯体薄膜の物理特性評価について、薄膜XRDの結果から結晶性があることが示唆された(図1)。薄膜法(2θ/ω)では回折ピークがみられたが、inplaneでは見られなかったことから基板に対して平行な結晶面のみが存在していると考えられる。このサンプルに関してリファレンスが存在しないため、結晶面の軸や方位等の詳細なデータは得られていない。
FETデバイスの作製について、まず初めに錯体薄膜を導入していない通常のトランジスタの作製を行った。デバイスパラメータ評価装置を用いてVgId測定を行ったところ、トランジスタとして機能していることを確認できたが、ゲート酸化膜の耐電圧が想定より低く破れてしまった(図2)。
この結果を踏まえて、錯体薄膜を導入したFETではゲート酸化膜を厚くして作製した。しかし、プロセス工程のミスで成功には至らなかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１(a). XRD測定結果
図1(b). XRD測定結果(０°-10°)
図1(c). XRD測定結果(10°ー90°)
図2. FETのVgId測定
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件