【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0285
利用課題名 / Title
多段階反応プロセスにおけるガス供給制御に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/ Electronic microscope,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
諸田 美砂子
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
小嶋 和広
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大塚 照久
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-004：電界放出形走査電子顕微鏡[S4800_FE-SEM]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
特殊材料ガスがガス供給制御機器の接ガス部品に与える影響の調査として、表面の腐食及び残留物の調査を目的とする。
実験 / Experimental
ガス供給制御機器でN2の流量制御を行った後に分解。接ガス部品の表面と未使用部品の表面を電界放出形走査電子顕微鏡にて観察，比較する。
結果と考察 / Results and Discussion
N2接ガス品に油のようなものが付着しており（図１）、ガス供給制御機器として組み立てる際に使用しているグリスが付着したものと考えられる。
主に新品のSEM画像で黒点がみられるが、搬入の際に付着したホコリなどのごみとみられる。その他特に差異はみられない。
図３にて以前実施したCF4接ガス品のSEM実験で取得した画像と、本実験により取得したN2接ガス品の画像を比較。CF4のダイアフラム表面にはグレーの靄のようなものがみられる。
CF4画像について、流量調節の機構であるバルブの制御によってダイアフラムに応力がかかるが、これにより画像のような靄が発生すると考えた。本実験ではガス種が異なるが、バルブ制御によって応力がかかったダイアフラムに対し、同様の靄が発生するかの検証を主目的として実施した。結果は図３の通り、N2接ガス品には靄が見られなかった。このため靄の発生は応力によるものではなく、またガスの流入起因でもないと考えられる。流入するガス種の違い、またはその他に原因があると推察する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１．ダイアフラム表面（広域） 左図：新品，右図：N2接ガス品
図２．ダイアフラム表面（狭域） 左図：新品，右図：N2接ガス品
図３．ダイアフラム表面 左図：N2接ガス品，右図：CF4接ガス品
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件