【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.03.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0303
利用課題名 / Title
バンプ表面処理技術開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,電子分光/ Electron spectroscopy,ボンディング/ Bonding
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
本間 瑞己
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
渋谷 直哉
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
表面活性化接合装置での、Ar高速原子ビーム(Ar-FAB)をサンプル表面に照射した際の影響調査について、産業技術総合研究所ナノプロセシング施設(NPF)の設備を利用し、表面の材料分析を行った。本報告では、その断面観察結果について述べる。
実験 / Experimental
Siウェハ上にNb膜をスパッタしたサンプルを作製した。サンプルに表面活性化接合装置内でFABを7 min照射した。FAB照射行ったサンプルとFAB照射を行わなかったサンプルについて、表面をXPS装置で材料分析を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
図1にFAB 7 min照射サンプル表面のスペクトルを示す。図からNbのピークが確認できた。Siのピークは見られなかった。図2にFAB7 min照射サンプルとFAB照射を行わなかったサンプルのNb3d軌道のスペクトルを示す。図からFAB照射を行ったサンプルは行わなかったサンプルと比較して、Nb2O5のピークが小さく、Nbのピークが大きいことが確認できた。FAB照射によってサンプル表面のNb酸化膜が除去されていることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 FAB7 min照射後のサンプル表面スペクトル
図2 FAB7 min照射後のサンプル表面Nb3d軌道スペクトル
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件