【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0303

利用課題名 / Title

バンプ表面処理技術開発

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

エレクトロデバイス/ Electronic device,電子分光/ Electron spectroscopy,ボンディング/ Bonding

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

本間 瑞己

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

渋谷 直哉

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-074：エックス線光電子分光分析装置(XPS)

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

表面活性化接合装置での、Ar高速原子ビーム(Ar-FAB)をサンプル表面に照射した際の影響調査について、産業技術総合研究所ナノプロセシング施設(NPF)の設備を利用し、表面の材料分析を行った。本報告では、その断面観察結果について述べる。

実験 / Experimental

Siウェハ上にNb膜をスパッタしたサンプルを作製した。サンプルに表面活性化接合装置内でFABを7 min照射した。FAB照射行ったサンプルとFAB照射を行わなかったサンプルについて、表面をXPS装置で材料分析を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

図1にFAB　7 min照射サンプル表面のスペクトルを示す。図からNbのピークが確認できた。Siのピークは見られなかった。図2にFAB7 min照射サンプルとFAB照射を行わなかったサンプルのNb3d軌道のスペクトルを示す。図からFAB照射を行ったサンプルは行わなかったサンプルと比較して、Nb₂O₅のピークが小さく、Nbのピークが大きいことが確認できた。FAB照射によってサンプル表面のNb酸化膜が除去されていることが分かった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1 FAB7 min照射後のサンプル表面スペクトル

図2 FAB7 min照射後のサンプル表面Nb3d軌道スペクトル

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件