【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM0024
利用課題名 / Title
窒化物半導体デバイスのプロセス開発
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子線リソグラフィ/ EB lithography,高周波デバイス/ High frequency device,リソグラフィ/ Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
後藤 高寛
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
高周波デバイス用途として窒化物半導体材料を用いたHEMTの研究開発が期待されている。本研究では主にGaNを用いたHEMTを試作し評価した。高周波用途では、微細ゲート電極が求められることからNM-601 電子ビーム描画装置 [ELS-F125]を駆使して、サブミクロン領域のゲート電極の作製を試みた。
実験 / Experimental
微細ゲート電極を作製条件を確立するためSi基板上にZEP系のEBレジストとPMGIを組み合わせた3層レジスト構造を作成した。その後、NM-601 電子ビーム描画装置 [ELS-F125]を駆使して、適切なDose量の露光を2回行うことによってT字型ゲート電極を作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
2回露光を行なった3層レジストを現像してSEM観察を行ったところ、ボトム層ではサブミクロンサイズの開口幅が、トップ層では十分に大きなサイズの開口幅が得られていることがわかった。そこで、実際にメタルを蒸着してリフオフプロセスを行なった。ゲート電極断面を観察するため試料を劈開し、断面SEM観察をおこなったところ微細T字型ゲート電極が作製できることがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件