利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.09】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NM0029

利用課題名 / Title

光デバイス用シリコン加工

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials(副 / Sub)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices,半導体微細構造/ Semiconductor microstructure,プラズマエッチング/ Plasma etching,電子線リソグラフィ/ EB lithography,ダイシング/ Dicing,リソグラフィ/ Lithography,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

古川 全裕

所属名 / Affiliation

慶應義塾大学大学院 基礎理工学専攻物理情報専修牧研究室

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

高橋 海斗,澤田 尚毅,弓場 凛太朗,常松 怜史,長曽我部 尊仁

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

藤井 美智子,浦野 絵里,簑原 郁乃,尾崎 康子,吉田 美沙

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-616:シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]
NM-638:水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
NM-614:CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
NM-604:マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
NM-661:電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

同機構にある装置(電子ビーム描画装置、シリコンDRIE装置、水蒸気プラズマ洗浄装置等)を利用し、課題遂行に必要であるラインアンドスペース基板の微細加工を行った。

実験 / Experimental

事前に用意した酸化膜をもつシリコン基板にスピンコーターを用いて電線レジストを塗布した。
その後、マスクレス露光装置、電子ビーム描画装置を諸条件(Dose:680)で用いてラインアンドスペースのパターンを作成し、キシレンを用いて現像した。
次にCCP-RIE装置にて気体(CHF3、Ar、O2)を用いてシリコン酸化膜層をエッチングした。
さらにシリコンDRIE装置にて気体(H2、O2、SF6、C4F8)を用いてシリコン層をエッチングした。
最後にNMPを用いてレジストをリフトオフし、水蒸気プラズマ洗浄装置で洗浄した。

結果と考察 / Results and Discussion

弊大学内の電子線顕微鏡(SEM)を用いて、作成したラインアンドスペース基板を観察した。
本基板では100 nmの溝が問題なく描画およびエッチングされていることが確認できた(図1参照)。
以上から、使用している条件が適切であると考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1. 作成したラインアンドスペースのトレンチ幅100 nmのSEM像


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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