【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM0068
利用課題名 / Title
Au表面上での微細レジストパターン形成
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,ALD,電子線リソグラフィ/ EB lithography,ダイシング/ Dicing,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,エレクトロデバイス/ Electronic device,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,パワーエレクトロニクス/ Power electronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
川島 宏幸
所属名 / Affiliation
大熊ダイヤモンドデバイス株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
若井知子
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
NM-635：電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
NM-637：マスクアライナー [MA-6]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ダイヤモンド半導体はその物性から究極の半導体と言われ，加え強固さゆえ原子力発電所や宇宙といった過酷環境での応用も期待されている．これまでダイヤモンド半導体を用いたデバイス研究が進められてきたが，さらなる発展にあたりデバイスの微細化は必要不可欠である．微細化を目指すにあたり，必然的にパターン形成に必要なリソグラフィー技術の獲得を要するため，今回ダミーSi基板上での微細レジストパターン作製を試みた．
実験 / Experimental
Si基板にAuを50nm全面蒸着したものにZEP-520およびエスペイサーを塗布，ベーキングを行った後，並木ファウンドリ所有の電子線露光描画装置で露光を行った．細線の線幅は100nm～300nm程度のもので，断面などでの応用も考慮し，長さは5mm程度のパターンのものを描画した．露光後，キシレンで現像を行ったのち，イソプロパノールでリンス，その後N2ブローで乾燥させた．
結果と考察 / Results and Discussion
図1に現像後のパターンの光学顕微鏡像を示す．Au上ではレジストとの密着性が懸念されたが，問題なく細線パターンが描画できていることが分かる．また，現像により描画パターン部分のZEP-520がAu表面まで無くなっていることを確認するために，金エッチング液でAuのエッチングを行ったところ，パターン部分のAuが溶けたことが確認されたため，ちゃんとAu表面まで現像されていることが分かった．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 現像後のSi/Au基板上のレジストパターン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件