利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.03.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NM0095

利用課題名 / Title

ZnO系透明電極膜の成膜

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

配電・接合・実装/ Power distribution, bonding, implementation, 薄膜/ Thin films, パワーエレクトロニクス/ Power electronics,センサ/ Sensor,エレクトロデバイス/ Electronic device,スパッタリング/ Sputtering


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

津野 将弥

所属名 / Affiliation

KOA株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

津谷 大樹

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-664:スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4]


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

電子部品の実装には、基板との安定的な接続のため電極形成が必須である。電極材料として安価なCuが一般的に用いられているが、電子部品の要求動作温度の上昇に伴い、Cu電極の劣化による特性変化が無視できないと予想される。そのため、代替電極材料の検討が必要となってくるが、PtやAuといった貴金属類は、その価格や埋蔵量から電子部品には使いづらい。以上より、別分野にて実績のあるZnO系透明電極材料を候補として、膜としての諸特性の把握を行うことが本検討の目的である。
そこで、作製装置として、RF-DCコスパッタが可能かつガス導入による反応性スパッタも可能なNM-664を選定した。

実験 / Experimental

スパッタ装置CFS-4EP-LL #4 (NM-664)を用い、0.5mm厚のガラス基板に対して、ZnOおよびAlのそれぞれのターゲット用いて多元成膜を実施した。ZnOにはRF電源をAlにはDC電源を用い、それぞれの成膜電力を変化させることで、Al濃度の異なる薄膜を製膜した。ここで、狙い膜厚はすべての水準で200nmとなるように製膜時間を設定した。
酸素ガス導入による反応性スパッタリングの実施は、導入ガス量が15 sccmとなるように、ArガスとO2ガスの流量比を変化させた。
作成した薄膜に対して、熱処理を施すことにより、測定用サンプルを得た。

結果と考察 / Results and Discussion

作製した薄膜の水準とその条件を図1にまとめた。狙い膜厚は200nmとしたが、実測では195nmでありおおむね狙い通りの膜厚を有する薄膜が作製できた。
XRDによる結晶構造の確認を実施したところ、Al電力が高くなるにつれ、ZnO由来の結晶構造に変化がみられ、反応性スパッタ膜では、成膜における酸素欠損が構造へ与える影響が明らかとなった。
今後は、電気的特性に関して、より詳細に調査を実施していく予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1. 作製水準とその条件


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

装置利用に関し、申し込みからオペレーショントレーニングまでご丁寧に対応していただきました。感謝申し上げます。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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