【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM0121
利用課題名 / Title
CMOSプロセスを用いたSi熱電集積デバイスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
寄生熱抵, シリサイド,熱電発電/ Thermoelctric Power Generation,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
粟田 舞衣
所属名 / Affiliation
早稲田大学 大学院基幹理工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
吉田 美沙
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
従来の熱電デバイスの課題である寄生熱抵抗の削減および高性能化を実現し、実用化に向けたブレークスルーを目指す。
実験 / Experimental
シリサイド成膜プロセスの最適化を目指して、基本的なアプローチとして、原料金属をSi基板上にスパッタ装置を用いてスパッタリングで成膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
本研究では、寄生熱抵抗の削減と集積密度の向上のアプローチを採用する。レグを構成するSi層の一部をニッケル(Ni)等の金属シリサイド化することで、電気的な結線をレグの層内で完結させる。これにより、従来のWビアやメタル層を介した電気的結合が不要となり、寄生熱抵抗を大幅に削減する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件