【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.11】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM0190
利用課題名 / Title
分子修飾2次元半導体によるナノチャネルデバイスの作製
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
原子薄膜/ Atomic thin film,電子線リソグラフィ/ EB lithography,原子層薄膜/ Atomic layer thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
桐谷 乃輔
所属名 / Affiliation
東京大学 大学院総合文化研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
Puneet Jain
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
津谷 大樹,簑原 郁乃
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では、原子層半導体の一つであるMoS2を用いた100 nm以下のチャネル長のデバイスを作製し、さらに、分子接合を行なった時の輸送特性を調べることを目的に研究を進めている。貴機関において、電子線描画装置によるMoS2上への電極パターンの作製を行なった。
実験 / Experimental
津谷様、簑原との相談にて、電子線描画装置の利用を開始した。JBX-8100FSを用いて、単層MoS2へと電極パターンを描画した。
結果と考察 / Results and Discussion
電子線描画装置により作製したパターンへ金属を蒸着し、複数のデバイスを作製した。現在までのところ、2 umのチャネル長を有するデバイスについてはトランジスタとしての動作を確認している。それよりも短いデバイスについては、良好なデバイス動作が確認されず、電子線の描画条件を含めて検証を進めるところである。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件