利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.04.23】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NM5209

利用課題名 / Title

ワイドギャップ半導体中ドーパントの活性・不活性サイトの電子状態

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

X線光電子分光(XPS(硬X線を含む))/X-ray photoelectron spectroscopy,X線回折/ X-ray diffraction


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

山下 良之

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-202:硬X線光電子分光分析装置(HAX-PES/XPS)
NM-210:温度可変型粉末X線回折装置_Cu1_NTS


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ワイドギャップ半導体中ドーパントの活性・不活性サイトの原子構造、電子状態を明らかにすることを目的として、硬X線光電子分光分析装置及び温度可変型粉末X線回折装置を利用した。

実験 / Experimental

温度可変型粉末X線回折装置を用いてワイドギャップ半導体の構造、硬X線光電子分光分析装置を用いてワイドギャップ半導体中ドーパントの電子状態の測定を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

Siドープk-Ga2O3中Siドーパントの原子構造、電子状態を明らかにすることを目的として、温度可変型粉末X線回折装置を用いてワイドギャップ半導体の構造、硬X線光電子分光分析装置を用いてSiドープk-Ga2O3中Siドーパントの電子状態の測定を行った。Siドープk-Ga2O3はSiO2に似た電子状態を有している事がわかった。また、格子間にSiが入った場合SiOに似た電子状態、SiとO原子が置換した場合、Siは金属的な状態をとるがSiドープk-Ga2O3はSiO2に似た電子状態を有していることからSiはGaと置換した原子位置に入ることがわかった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

DOI(論文・プロシーディング):
1. 10.1063/5.0198160
2. 10.1021/acs.nanolett.4c00482


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 山下 良之, 蔡 宇華, 橋本 由介, 松下 智裕, Piero Mazzolini, 9th International Symposium on Practical Surface Analysis(Busan), 令和6年11月19日
  2. 山下 良之, 蔡 宇華, 橋本 由介, 松下 智裕, Piero Mazzolini, SSDM24, 令和6年9月3日
  3. 山下 良之, 蔡 宇華, 橋本 由介, 松下 智裕, Piero Mazzolini, 2024年応物秋季学術講演会, 令和6年9月16日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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