【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5212
利用課題名 / Title
薄膜ヘテロ構造における特異な物性と機能の探索
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
電子線リソグラフィ/ EB lithography,ダイシング/ Dicing,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
原田 尚之
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
池田 直樹,大井 暁彦,藤井 美智子,浦野 絵里,尾崎 康子
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-636:マスクレス露光装置 [DL-1000]
NM-638:水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
NM-635:電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
NM-645:ICP-RIE装置 [CE300I]
NM-642:電子銃型蒸着装置 [MB-501010]
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
特徴的な物性を持つ物質群を薄膜化してヘテロ構造や微細構造を作製し、エレクトロニクス応用を試みた。特に、低次元導電体やアモルファス構造を持つ超伝導体に着目して研究を進めている。特徴的な原子の配列により現れる物性の解明と、それに基づくエレクトロニクス応用を検討している。
実験 / Experimental
クリーンルームでの電子線リソグラフィー、フォトリスグラフィーによるデバイス試作。電子顕微鏡による試料観察。
結果と考察 / Results and Discussion
既存の導電体と比較して、極薄膜において高い電気伝導性を有する薄膜を作製することができた。同じ特性を半導体デバイス上で実現できれば、配線や電極など様々な応用の可能性がありうる。今後はデバイスへの実装とエレクトロニクス応用を実現するために研究を進めていく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:4件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:1件