【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5380
利用課題名 / Title
窒化インジウムガリウム薄膜のXRD測定
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ダイシング/ Dicing,CVD,フォトニクス/ Photonics,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
林 侑介
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
河野 久雄,大谷 まさみ
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-629：ダイシングソー [DAD322]
NM-606：UVオゾンクリーナー [UV-1]
NM-605：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]
NM-609：電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
NM-611：原子層堆積装置 [AD-230LP]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
単結晶窒化ガリウム（GaN）基板上に成膜した窒化インジウムガリウム（InGaN）薄膜は、次世代のマイクロ発光ダイオード用やレーザーダイオード用の基板への応用が期待されている。本基板についてX線回折（XRD）測定を行い、格子定数・結晶性の評価を行う。
実験 / Experimental
NIMS微細加工ユニットにおいて、NM-629のダイシングソーを使用して基板のカットを行った。NM-605の水蒸気プラズマ洗浄装置、NM-606のUVオゾンクリーナーを使用して基板洗浄を行った。NM-609の電子銃型蒸着装置、NM-611の原子層堆積装置を使用して基板裏面に金属膜・誘電体膜をそれぞれ成膜した。この試料について、NIMS表面・バルク分析ユニットの高分解能薄膜用X線回折装置 (SmartLab)を使用し、逆格子マップを測定することで、格子定数・結晶性の評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
NIMS微細加工ユニットにおいて基板洗浄・カット・試料準備を行った後、NIMS共用表面・バルク分析ユニットにおいて高分解能XRDでInGaN薄膜を測定することで格子定数・結晶性を評価し、成長中にどのような歪・欠陥が生成されているのかを明らかにした。結果として、InGaNの成長条件によって膜中の歪・欠陥が大きく変化することがわかった。これらの結果は、別途測定した原子間力顕微鏡（AFM）による表面形態と対応付けられることが明らかとなった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件