【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NM5391

利用課題名 / Title

パルスレーザ蒸着法で堆積した酸化膜の特性

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

酸化物堆積/ Oxide Deposition,ダイシング/ Dicing,PVD,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

チェン シャオチュアン

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-604：マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
NM-665：電子銃型蒸着装置 [ADS-E810]
NM-655：分光エリプソメーター [M2000]
NM-216：薄膜X線回折装置_Cu
NM-629：ダイシングソー [DAD322]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

Using thin film X-ray reflectivity and diffraction setup to analyze the growth conditions of niobium oxide and its properties.

実験 / Experimental

Si wafers and sapphire wafers were cut into pieces by using dicing saw. Pulsed laser deposition (PLD) was used to deposit niobium oxide films on the substrates at different temperatures and different oxygen partial pressure. Films thickness and crystallinity properties were examined by Spectroscopic Ellipsometer, X-ray reflectivity and X-ray diffraction. We used optical lithography and e-beam deposition methods to pattern electrodes on the films and for studying electronic properties. 

結果と考察 / Results and Discussion

By measuring the thickness of oxide films, the deposition rates by using PLD with varied temperature and oxygen pressures were confirmed. X-ray diffraction characterization reveals good crystallinity properties of the oxides. The electrical conductivity of the as-grown films was also obtained by measuring the devices with different oxide channel lengths. 

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件