【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5454
利用課題名 / Title
β-Ga2O3のHVPE成長の高度化
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
化合物半導体/ Compound semiconductor, パワーエレクトロニクス/ Power electronics,CVD,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
大島 祐一
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
大島孝仁
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
浦野 絵里,渡辺 英一郎
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-649：FE-SEM+EDX [SU8230]
NM-654：触針式プロファイラー [Dektak 6M]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
パワーデバイス材料として期待されているβ-Ga2O3の高品質・高速成膜技術を開発する。
実験 / Experimental
β-Ga2O3薄膜の成長速度算出のために触針式プロファイラーを用いた。また、FE-SEM+EDX(SU8230を用いて)β-Ga2O3膜のモフォロジを観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
触針式プロファイラーを用いて測定した膜厚は成長速度はSIMS分析による不純物濃度の深さプロファイルと概ね一致した。これにより、成膜実験への迅速なフィードバックが可能になった。また、β-Ga2O3薄膜の表面モフォロジと成膜条件との相関を系統的に把握することができた。これらにより、今後成膜技術の開発を効率よく進めることができると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件